2012年（nián）5月8日，推進利用TSV(矽（guī）通孔)的三維層疊（dié）型新一（yī）代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件（jiàn）行業（yè）巨頭美國微軟已加盟該協會。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯（jí）芯片上沿垂直（zhí）方向疊加（jiā）多個DRAM芯片，然（rán）後通過TSV連接布線的技術（shù）。HMC的最大特征是與既有的DRAM相（xiàng）比，性能可以得（dé）到極大（dà）的提升。提升的原因有二，一是芯（xīn）片間的布線距離能（néng）夠從半導體封（fēng）裝平攤在主板（bǎn）上的傳統方法的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬個（gè）TSV，實現芯片間的多（duō）點連接。

　　微軟之所以加入（rù）HMCC，是因為正在（zài）考慮如何對應很（hěn）可能會成為個（gè）人電腦和計算機性能提升的（de）“內存瓶頸”問題（tí）。內存瓶頸是指（zhǐ）隨著微處理器的性能通過多核化不斷提升，現行架構的DRAM的性（xìng）能將無法滿足處理器的需要。如果不解決（jué）這個問題，就會發生即使購買計算機新產品（pǐn），實際性能也得不到相應提升的情況。與之相比，如果把基（jī）於（yú）TSV的（de）HMC應用於計算（suàn）機的主存儲器（qì），數據傳輸速度就能夠提高到現行DRAM的（de）約15倍，因此，不隻是（shì）微軟，微處理器巨（jù）頭美國英特（tè）爾等公司（sī）也在積（jī）極研究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的並不隻是HMC等DRAM產品。按照半導體廠（chǎng）商的（de）計劃，在（zài）今後數年間，從承擔電子設備輸入（rù）功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及掌管產品存儲（chǔ）的DRAM和NAND閃存都（dōu）將相繼（jì）導入TSV。如果計劃如期進行，TSV將擔（dān）負起輸入、運算、存（cún）儲等電子設備的主要功能。